Компания Intel и Micron Technology представили первую в мире 20-нанометровую (нм) NAND-память с многоуровневой структурой ячеек емкостью 128 гигабит.
В результате этого успеха, используя всего восемь таких кристалов, можно создать чип емкостью 1 Тбит (128 Гигабайт), при этом размер этого чипа с ноготь.
Новый модуль памяти удовлетворяет спецификации ONFI 3.0, а скорость работы достигает 333 МТ/с. Больше того 20-нанометровые модули позволят увеличить емкость твердотельных дисков и снизить их стоимость.
Серийное производство 20-нм NAND-модулей емкостью 128 гигабит планируется начать в первой половине 2012 года.
На сегоднешний день Intel и Micron обьявили о начале массового производства 20-нм NAND-памяти емкостью 64 Гбит.
